サムスン　全ての半導体を過去にする「3nmプロセスルール半導体」を量産してしまう

３ナノメートル戦争――だれが先に３ナノメートル線幅の半導体を作るだろうか。

３ナノメートル（ナノメートルは１０億分の１メートル）の半導体量産をめぐりサムスン電子と台湾のファウンドリー（半導体委託生産）企業ＴＳＭＣがぶつかり合った。
だれが先に髪の毛の３万分の１に相当する半導体を量産するかにより今後のファウンドリー市場の主導権が変わる。
サムスン電子としては２０３０年までに非メモリー分野での世界１位に向けファウンドリー市場を確保しなければならず、現在ファウンドリー市場の最強者であるＴＳＭＣでは市場を守らなければならない。

◇ＴＳＭＣは４月に工程技術公開、サムスンは昨年公開

先手を打ったのはＴＳＭＣだ。２２日の業界によると、台湾ＴＳＭＣは４月２９日に北米技術シンポジウムで初めて３ナノプロセス技術を公開する。
ＴＳＭＣはこれに先立ち今年５ナノを、２０２２年までに３ナノ半導体を量産するという目標を提示している。
１６日の業績説明会（カンファレンスコール）では「３ナノプロセス技術開発は順調にいっている」と明らかにした。

サムスン電子は３ナノ技術でＴＳＭＣをリードしている自信を持つ。サムスン電子はすでに２０１８年に初めて３ナノプロセスに必須のＧＡＡ（Ｇａｔｅ－Ａｌｌ－Ａｒｏｕｎｄ）技術を公開している。
ＧＡＡ構造のトランジスターは電流が流れるチャンネルの上下左右４面をゲートが囲んでおり電流の流れをより細かく調整できる。ＧＡＡを適用すれば既存の工程技術（ＦｉｎＦＥＴ）よりトランジスターを小型化する過程で体験する露光技術の限界や小さくなった
半導体素子で発生しうる発熱や電流漏洩のような根本的な問題を解決できる。

◇量産時期は２０２２年、どちらが先かがカギ

現在ファウンドリー企業ののうち７ナノ以下のナノプロセス技術はサムスン電子とＴＳＭＣだけが保有している。７ナノから３ナノまでサムスン電子が先に開発に成功した。
両社の対決はどちらが先に量産するかが焦点だ。ひとまずサムスン電子、ＴＳＭＣともに量産時期は２０２２年を掲げる。

３ナノ半導体を量産するというのはそれだけ高い技術力を確保したという意味だ。半導体回路の線幅が髪の毛の３万分の１程度に細くなれば消費電力が減少し処理速度が向上する。
チップ面積も５ナノ製品と比較し３５％以上減る。スマートフォン、特に折りたたみスマホなどに重要な技術だ。

◇サムスン、３ナノ先取りでＴＳＭＣ独走破るか

現在の状況だけみればファウンドリー市場はＴＳＭＣが最強者だ。ＴＳＭＣの２０１９年売り上げは１兆７００億台湾ドル（約３兆９２０５億円）に達する。
市場調査会社トレンドフォースによると昨年１０－１２月期ファウンドリー市場でＴＳＭＣは半分を超えるシェア５２．７％を記録した。
サムスン電子は２位で１７．８％だが格差が大きい。ＴＳＭＣの生産規模はサムスンの４～５倍とされている。アップルのｉＰｈｏｎｅに使われるアプリケーションプロセッサ（ＡＰ）を独占生産する。
今年は１６０億ドルを投資し、７ナノ、５ナノ、３ナノの生産能力を拡大する。
以下ソース
https://japanese.joins.com/JArticle/261818?servcode=300&sectcode=300