大陽日酸、窒化ガリウム（GaN）の低コスト結晶製造装置の開発に成功

開発された製造装置は、科学技術振興機構（ＪＳＴ）の産学共同実用化開発事業（ＮｅｘＴＥＰ）の開発課題
「ＴＨＶＰＥ法による高品質バルクＧａＮ成長用装置」において、東京農工大学の纐纈明伯特別招聘教授らの
研究成果をもとに、平成２５年８月から平成３１年３月にかけて大陽日酸に委託され、同社開発本部イノベーション
事業本部が実用化を進めていたもの。

高品質・高速な結晶製造を実現するだけでなく、反応炉の石英管の劣化が生じにくいことや、成長面積の減少が
少ないこと、不要なポリ結晶成長が生じないなど、従来の方法に比較してコスト面に優れる特長も確認されている。

ＧａＮ結晶は、省エネルギーおよび低炭素社会構築のキーマテリアルとして注目されているが、
そのアプリケーションである高周波デバイス、パワーデバイスへの展開はあまり進んでいない。

その理由の１つが、ＧａＮ結晶基板の製造が難しく、高純度な厚いバルク結晶を得る結晶成長法がなかったことで、
今回の新技術により、ＧａＮ結晶を厚いバルクで得られれば、スライスしてＧａＮ基板を大量生産でき、
安価で高性能なＧａＮデバイスの開発への突破口になることが期待されている。

https://www.sanpo-pub.co.jp/dg/2019/1126021323.html